| Marca | Infineon |
| Prodotto | BSM10GD120DN2 |
| Descrizione | Transistor |
| Codice interno | PRT532962 |
| Peso | 1 |
| Specifiche tecniche | Configurazione: Full Bridge Max. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1200 V Tensione di saturazione del collettore-emettitore: 2,7 V Collettore DC a 25 °C: 15 A Corrente di dispersione dell'emettitore della porta: 120 nA Dp - Dissipazione di potenza: 80 W Contenitore/copertina: EconoPack 2 Temperatura minima di esercizio: - 40 C Temperatura massima di esercizio: + 150 C Confezione: vassoio Marca: Infineon Technologies Altezza: 17 mm Lunghezza: 107,5 mm Tensione massima del gateemettitore: 20 V Stile di montaggio: montaggio su telaio Tipo di prodotto: Moduli IGBT Sottocategoria: IGBT Tecnologia: Sì Larghezza: 45,5 mm Nome del componente: SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1 Peso unitario: 180 g |
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